반도체 기초 實驗(실험) 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착實驗(실험))
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작성일 23-02-04 09:28
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▲ 결 론
달라붙게 하여 금속 박막을 증착 시킨다.
이유는? A~B는 증착된 금속부분만을 지나가고 B~C부분은 실리콘부분을 지나게 있다
E-baem evaporator를 이용하여 Si wafer 위에 금속을 증착하여
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2. 측정(測定) 위치에 따라 저항값이 달라졌다.
▲ 實驗 결과 -표
반도체 기초 실험 E beam 증착 / ()
이므로 도체인 금속만을 지나는 부분(A~B)이 반도체인 실리콘부분을
금속을 eaporate 시킨다. 또 같은 물질이라도 단면적이 클수록 이동할 수 있는 틈새공간은 넓어진다.
반도체 기초 實驗(실험) 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착實驗(실험))
다. 통과해야할 길이가 긴 경우에는 시작단에서 끝단까지 통과하는데 시간이 많이 걸리게 되고, 이에 따라서 단위시간당 통과하는데 어려움이 있게된다 저항을 나타내는 식은 다음과 같다. 그러므로 같은 수의 전자가 투입되어도 이동할 수 있는 틈새가 다르므로 단위시간당 통과할 수 있는 전자의 숫자는 달라진다.
▲ 實驗 원리
저항률은 도체<반도체<절연체 ( 10~6 Ωcm < <1010Ωcm )
▲ 實驗 원리
▲ 實驗 목적
☞ A~B < B~C
표면금속저항과 전극을 통한 Si의 저항을 측정(測定) 한다.
순서
1. 성장 두께에 따라 저항값이 다르게 나타났다. eaporate 된 금속 물질이 Si wafer 표면에
▲ 성장두께에 따른 저항값 -그림
☞ 600Å > 900Å
▲ 實驗 결과
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반도체 기초 실험 E beam 증착
반도체 기초 實驗(실험) E beam 증착 / ()
▲ 결 론
지나게 되는 부분(B~C)보다 저항률이 낮게 되는 것이다.
(물질의저항) = (물질의 종류에 따르는 상수) * (길이) / (단면적)
설명
▲ 實驗 목적
▲ 성장두께에 따른 저항값
high energy를 가진 전자 beam을 만들고 이를 target material에
이유는? 모든물질은 그 구성원자의 구조가 다르므로 물질에 따라 자유전자가 이동하는 틈새를 다르게 한다.
